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qualité Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température usine
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Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température

Brand Name: HT SENSOR
Model Number: Les produits de base sont les suivants:
Place of Origin: Baoji, en Chine
Certification: ISO9001
Minimum Order Quantity: 1
Price: negotiable
Supply Ability: 5000 pièces par mois

Product Details


Numéro de modèle.: Les produits de base sont les suivants: Gamme: Pour les appareils à combustion interne
Type de câblage: épingles de Kovar plaquées en or Milieu de mesure: AIR et eau et huile liquides
Fil: 50.4 mm Sortir: signal mv
Pouvoir: 1,5 mA Taper: Capteur de pression de silicium diffus
Type de signal de sortie: Analogique Matériel: 316L en acier inoxydable
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Capteur de pression de silicium diffus

,

Capteur de pression de silicium à haute température

,

Sensor de pression au silicium HT-IQT-B

Product Description

Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour la mesure à haute température

HT-IQT-B Piézorésistif Capteur de pression en silicium

Introduction du capteur de pression en silicium diffusé : 

 

Le capteur de pression en silicium HT - IQT - B est une sorte de membrane intégrée. La pression est transférée à la puce sensible via une membrane en acier inoxydable et de l'huile de silicone scellée. La puce du capteur convertit la pression en un signal électrique en millivolts détectable. Ainsi, nous pouvons observer intuitivement la valeur de pression du milieu mesuré. Ce produit adopte une structure à membrane plate, avec un dissipateur thermique à haute température, l'effet de mesure du milieu à haute température est bon. La membrane plate nue est facile à nettoyer et a un bon effet sur la mesure des milieux visqueux. S'applique aux industries alimentaires, de la santé et autres.

 

Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température 0
Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température 1
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Performance électrique du capteur de pression en silicium diffusé:
  1. Alimentation :       ≤2mA DC  (0.4-1.5mA DC).
  2. Impédance d'entrée  :     2.5KΩ~6KΩ.
  3. Impédance de sortie :      2.5KΩ~6KΩ.
  4. Connexion électrique : Broches Kovar plaquées or ou fils haute température de 100 mm.
Paramètres de performance du capteur de pression en silicium diffusé:
Plage de mesure Jauge (G) 35KPa,100KPa,200KPa,350KPa,1000KPa,2000Kpa
Absolu (A) 100KPaA,200KPaA,350KPaA,700KPaA,1000KPaA,2000KPaA
Scellé (S) 3500KPaS
  Typ Max Unité
Non-linéarité   ±0.15 ±0.3 %F.S
Répétabilité  0.05 0.1 %F.S
Hystérésis    0.05 0.1 %F.S
Sortie de décalage zéro   0±1 0±2 mV
Sortie pleine échelle   ≤20KPa 50±10 50±30 mV
≥35kPa 100±10 100±30 mV
Dérive de température du décalage zéro ≤20KPa ±1 ±2 %F.S
≥35kPa ±0.5 ±1 %F.S
Dérive de température pleine échelle ≤20KPa ±1 ±2 %F.S
≥35kPa ±0.5 ±1 %F.S
Température compensée ≤20KPa 0~50 ºC
≥35kPa 0~70 ºC
Température de fonctionnement   -20~80 ºC
Température de stockage  -40~125 ºC
Pression d'éclatement 5X la pleine échelle  
Stabilité à long terme 0.2 %   F.S/An
Matériau de la membrane 316L  
Résistance d'isolement ≥200MΩ 100VDC  
Choc 100g,11ms  
Temps de réponse ≤1ms  
Joint torique Caoutchouc nitrile ou caoutchouc fluoré  
Milieu de remplissage Huile de silicone  
Poids ~220g  
Les paramètres sont testés dans les conditions suivantes :   1,5 mA @25 °C
 
 
Construction des contours
Dimension
 
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Connexion électrique et compensation
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Exemples de sélection
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Conseils de commande
1. Faites attention à l'ajustement entre la taille du noyau et le boîtier de l'émetteur lors de l'assemblage pour obtenir l' étanchéité requise.
2. Lors de l'assemblage du boîtier, assurez-vous qu'il est aligné verticalement et appliquez une pression uniforme pour éviter le blocage ou l'endommagement de la plaque de compensation.
3. Si le milieu mesuré n'est pas compatible avec la membrane du noyau et le matériau du boîtier (316L), des instructions spéciales doivent être fournies lors de la  passation de la commande.
4. Évitez d'appuyer sur la membrane du capteur avec les mains ou des objets pointus pour éviter d'endommager le noyau en raison de la déformation ou de la perforation de la membrane.
5. Gardez l'orifice de pression du noyau de pression manométrique ouvert à l'atmosphère et empêchez l'entrée d'eau, de vapeur d'eau ou de milieux corrosifs dans la chambre de pression négative du noyau.
6. En cas de modification des fils de broche, suivez l'étiquette sur le noyau réel pour référence.

 
entreprise
Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température 6Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour mesure à haute température 7
 
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Product Highlights

Capteur HT HT-IQT-B Capteur de pression en silicium diffusé pour la mesure à haute température HT-IQT-B Piézorésistif Capteur de pression en silicium Introduction du capteur de pression en silicium diffusé : Le capteur de pression en silicium HT - IQT - B est une sorte de membrane intégrée. La ...

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