HT12 Capteur de pression en silicium avec une large plage de mesure de 0 à 200 kPa Capteur d'air sec
Product Details
| Numéro de modèle.: | HT12 | Type de fil: | TO8 |
|---|---|---|---|
| Type de câblage: | Pins de Kovar plaqués d'or ou fil de silicium | Milieu de mesure: | Air gazeux sec |
| Gamme: | Pour les appareils à haute tension: | Sortir: | mv Signal analogique |
| Pouvoir: | 1,5 mA | Code HS: | 9026209090 |
| Pour: | Capteur de pression | Personnalisation: | OEM et ODM |
| Mettre en évidence |
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Product Description
HT12 Capteur de pression au silicium avec une large plage de mesure de 0 à 2 MPa
Le capteur de pression piézorésistif en silicium HT12 est un élément de silicium à diffusion hautement stable encapsulé à l'aide d'une technologie d'emballage TO8 avancée.L'absence d'un noyau rempli d'huile élimine les erreurs de profil et améliore considérablement la stabilité de la petite plage, ce qui le rend particulièrement adapté à la mesure de la pression des gaz secs non corrosifs.
Caractéristiques du produit du capteur de pression en silicium:- La plage de mesure est large de 0 à 10 KPa à 2 MPa.
- Haute fiabilité, bonne stabilité.
- La technologie d'encapsulation TO8.
- Applications dans le secteur aérospatial.

Applicationsd'une épaisseur d'environ 50 mm:
- La pression des gaz secs non corrosifs a été mesurée.
- Le système de commande pneumatique Applications médicales du génie biomédical.
- Les commandes HVAC.
- L'aviation aérospatiale liée au but de l'expérience.
- L'alimentation électrique: ≤ 2 mA de courant continu (type 1,5 mA de courant continu)
- Impédance d'entrée:3KΩ~6KΩ
- Impédance de sortie:2.5KΩ~6KΩ
- Connexion électrique: épingles Kovar plaquées d'or ou câbles à haute température de 100 mm
| Paramètres de performanced'une épaisseur d'environ 50 mm: | ||||||
| Plage de mesure | Épaisseur (G) | 10KPa, 20KPa, 35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa et 2000KPa | ||||
| Absolute (A) | Les émissions de gaz à effet de serre sont calculées en fonction de la fréquence d'émission. | |||||
| Autonomie avec TO8 | Le système de régulation de l'émission de gaz doit être conforme à la présente directive et doit être conforme à la présente directive. | |||||
| Le type | Je suis désolé. | Unité | ||||
| Linearité | ± 0.15 | ± 0.3 | % F.S. | |||
| Répétabilité | 0.05 | 0.1 | % F.S. | |||
| Hystérésis | 0.05 | 0.1 | % F.S. | |||
| Débit de compensation nul | 0 ± 1 | 0 ± 2 | MV | |||
| Produit à grande échelle | ≤ 20 KPa | 50 ± 10 | 50 ± 30 | MV | ||
| ≥ 35 kPa | 100 ± 10 | 100 ± 30 | MV | |||
| Température de décalage zéro. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ±2 | % F.S. | ||
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | |||
| Température à pleine échelle. | ≤ 20 KPa | ± 1 | ±2 | % F.S. | ||
| ≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | % F.S. | |||
| Temps compensé. | ≤ 20 KPa | 0 à 50 | oC | |||
| ≥ 35 kPa | 0 à 70 | oC | ||||
| Température de fonctionnement | - 20 à 80 | oC | ||||
| Température de stockage | -40 à 125 | oC | ||||
| Surcharge admissible | Prenez la plus petite valeur entre 3 fois l'échelle complète ou 4MPa | |||||
| Pression de rupture | 5 fois la taille totale | |||||
| Stabilité à long terme | 0.2 % | F.S./année | ||||
| Matériau du diaphragme | autres | |||||
| Résistance à l'isolation | Pour les appareils à courant alternatif | |||||
| Vibration | Aucun changement dans des conditions de 10gRMS, de 20 Hz à 2000 Hz | |||||
| Le choc | 100 g, 11 ms | |||||
| Temps de réponse | ≤ 1 ms | |||||
| Le poids | ~ 12,5 g | |||||
| Les paramètres sont testés dans les conditions suivantes: courant constant de 1,5 mA et température ambiante de 25 °C | ||||||


| Construction du schéma | |
| Dimension | ![]() |
| Connexion électrique et compensation |
|
| Conseils pour commander |
- Assurer un ajustement précis entre le noyau du capteur et le boîtier pendant l'assemblage pour obtenir le joint étanche à l'air requis.
- Alignez soigneusement les composants verticalement et appliquez une pression uniforme lors de l'assemblage pour éviter de bloquer ou d'endommager la plaque de compensation.
- Maintenir une connexion ouverte entre le conduit d'air du noyau du capteur de pression et l'atmosphère, empêchant l'entrée d'eau, de vapeur ou de substances corrosives dans les chambres à pression positive et négative.
- Si des modifications sont apportées aux câbles des broches, consultez l'étiquette fixée au noyau du capteur pour les identifier avec précision.
| société |





| Questions et réponses |
FAQ:
1Q: Quelles sont les caractéristiques de vos émetteurs de capteurs de pression?
R: Nos capteurs de pression sont caractérisés par une grande précision, une durabilité et des performances excellentes, avec la possibilité de personnalisation.
2Q: Puis-je personnaliser des spécifications spéciales?
R: Oui, nos ingénieurs peuvent personnaliser les produits pour répondre à des besoins spécifiques grâce à nos services OEM et ODM.
3Q: Quelle est votre capacité de production?
R: Nos installations de fabrication ont la capacité de produire jusqu'à 30 000 émetteurs de capteurs de pression par mois, ce qui garantit que nous pouvons répondre aux commandes à grande échelle.Il est conseillé de contacter notre équipe de vente à l'avance pour une production en douceur et un calendrier de livraison..
4Q: Quel est le délai de livraison typique?
R: Les modèles standard ont généralement une période de livraison de 5 à 8 jours ouvrables, tandis que les produits personnalisés peuvent varier.
5Q: Quel est le prix des produits?
R: Nous offrons des prix compétitifs avec des réductions disponibles pour les commandes en vrac ou les partenariats à long terme.
6. Q: Quelle est la garantie de vos produits? Et service après-vente?
R: Nos produits bénéficient d'une garantie de 24 mois à compter de la date d'expédition, et notre service après-vente assure des réponses rapides dans les 24 heures ainsi qu'un support d'instruction à distance via le réseau PC.
Product Highlights
HT12 Capteur de pression au silicium avec une large plage de mesure de 0 à 2 MPa HT12Capteur de pression piézoresistif au silicium Introduction du capteur de pression en silicium: Le capteur de pression piézorésistif en silicium HT12 est un élément de silicium à diffusion hautement stable encapsulé ...
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